Medidor de corrente RF com pinça
A ferramenta mais útil para solução de problemas de interferência de RF!
O artigo original de G0SNO foi publicado na RadCom (RSGB) de abril de 1993, página 74.
A ferramenta mais útil para solução de problemas de interferência de RF!
O artigo original de G0SNO foi publicado na RadCom (RSGB) de abril de 1993, página 74.
Melhor que te mostrar a alteração feita em uma fonte de 12V x 3A, consegui uma fonte de 12 Volts x 10 Amperes, dessas industriais, e nela fiz e fotografei a alteração para ampliar o range de ajuste da mesma, que em sua versão original era de 8,6 Volts a 13,8 Volts, de início ao fim de seu trimpot de ajuste..
Veja ai a única etiqueta da fonte em que foi feita a alteração..
Veja ai o R30, um resistor de 2k2 na versão de fábrica.
Esse é o resistor que deve ser alterado. Experimentalmente cheguei num valor de 1k5 para o lugar do mesmo. Ai ele já trocado: (note sobre a placa o resistor de 2k2 que foi tirado do lugar)
Uma visão geral da placa da fonte mostrando o resistor novo de 1k5, já substituído, mostrando os parafusos de fixação dos transistores da fonte, contra a carcaça da mesma, que serve como dissipador e o detalhe da chave 110/220 que a mesma porta, ao contrário do que eu pensava, ser fullrange..
Com o novo resistor o ajuste no trimpot passou a ser de 9,9 Volts a 18,95 Volts, como se pode ver ai na foto:
Para estressar a fonte em sua máxima tensão (ou aproximadamente a máxima) coloquei o valor por volta de 19,93, sem carga e ao colocar a carga, consumindo coisa de 4,6 Amperes, a tensão de saída baixou para 19,90 ou 19,91 Volts mostrando ainda excelente regulação.
A medida de potência demandada da tomada, nessa hora, foi de 105 Watts, medida com um Kill-a-Watt, com corrente de 4,8 Amperes sendo tirada daqueles 19,9 Volts de saída.. A potência entregue a carga era portanto de 4,8 x 19,9 = 95,52
A eficiência apresentada pela fonte, calculada, foi de 95,52W/105W = 91% que é excelente...
A fonte não tem PFC ativo e seu FP ficou em 0,62 como pode ser visto ai na medida do Kill-a-Watt..
Realmente a fonte se manteve fria por mais de meia hora que assim a deixei, ao contrário da carga, que essa sim aqueceu bastante.
Carga:
Por essa dai boto a mão no fogo...
Não esqueça, a fonte foi feita, projetada para entregar 12V x 10A = 120 Watts. Ao levantar a tensão para 18 Volts a máxima corrente a se tirar da mesma passa a ser 120W /18V = 6,6 Amperes.. Juizo portanto...
Com promessa é dívida, declaro cumprida essa de mostrar como modificar uma dessas fontes industriais dai para ajuste de até 18 Volts na tensão de saída...
O circuito dessas fontes é uma meia ponte, igual ao das fontes AT, e da maioria dos reatores eletrônicos. Ela não tem uma fonte stand-by: A alimentação das etapas de controle no secundário vem do próprio circuito da fonte principal, que na hora da partida funciona em modo 'auto oscilante', até o TL494 acordar e assumir o controle.
Destacado em amarelo aí está o transformador driver. Repare que ele tem um enrolamento a mais do que se esperaria num transformador desses, que está em série com o primário do transformador principal (lá na direita). Esse pequeno enrolamento (é pequeno mesmo, tem só uma espira) forma um circuito de realimentação positiva.
O que acontece na partida duma fonte dessas é mais ou menos o seguinte:
- Quando a alimentação é ligada, os resistores de partida (circulados em vermelho) injetam uma pequena corrente na base dos transistores.
- Como não existem dois transistores exatamente iguais, um deles vai começar a conduzir antes do outro, fazendo circular uma corrente nele e nos transformadores.
- A mínima corrente que circular naquele enrolamento de realimentação do transformador driver vai induzir uma tensão nos secundários dele, o que vai reforçar a polarização do transistor que estiver conduzindo.
- Enquanto a corrente continuar subindo, terá tensão na saída do trafinho pra manter o transistor conduzindo. Quando a corrente parar de subir, a tensão cessa, cortando o transistor.
- Quando o transistor corta, o colapso do campo magnético no núcleo do transformador driver vai fazer aparecer uma tensão inversa em relação a que tinha antes nos secundários. Isso fará o outro transistor entrar em condução, repetindo todo o processo.
Os transistores ficam chaveando alternadamente, e a tensão no secundário vai subindo até o momento que a alimentação do TL494 atinge o mínimo para ele funcionar, e então ele passa a controlar o chaveamento dos transistores. Para que a alimentação do TL494 suba mais rapidamente, geralmente ela é colhida antes da bobina de saída. Na maioria dos casos, basta alguns poucos ciclos de chaveamento e já tem alimentação suficiente para ele assumir o controle. Agora a parte prática: Quando os dois transistores principais queimam, quase sempre levam junto um punhado de componentes ligados entre as suas bases e o transformador driver. E qualquer resistor aberto ou diodo em curto / com fuga ali impede a partida da fonte. Além disso, é muito comum os dois transistores que acionam o transformador driver queimarem junto (na foto são aqueles logo acima dele).
O transistor MOSFET de chaveamento Q1 era o Samwin SW7N60. Se for absolutamente impossível colocar um MOSFET igual ao original, é necessário atentar para algumas características importantes ao escolher um substituto, como foi nosso caso. O transistor poderá ter, eventualmente, alguns parâmetros melhores, mas nunca diferentes demais, pois poderia precisar de ajustes em outros componentes da fonte.
Apesar destes cuidados, há também imprecisões dos fabricantes. Encontramos datasheets diferentes para o mesmo transistor SW7N60. Em Semipower [8], a folha de dados está na revisão 3.0, ao passo que o datasheet proveniente de Dianyuan [9], está na revisão 0.2. Comparando-se os dois documentos, são encontradas várias características desiguais, o que faz pensar que os transistores não seriam os mesmos. Será utilizada a versão mais recente como referência, quando não houver comentário especificando isto.
Então, o SW7N60 maneja até 7A sob 600V e tem uma Rds máxima de 1,3 ohm (ou 1 ohm, conforme o datasheet da revisão 0.2 – [9]). Rds ou Rds(on) é a resistência entre dreno e supridouro que o transistor apresenta quando está conduzindo. Na prática, quanto menor esta resistência, menos o transistor aquecerá, pois haverá menos queda de tensão entre o dreno e o supridouro. Tensões de trabalho mais altas geralmente implicam em Rds maior.
Para escolher o novo componente, foi definido que a tensão de trabalho (Drain to Source Voltage – Vdss) deveria ser a mesma, a corrente de dreno (Id) deveria ser igual ou maior, e Rds deveria ser igual ou menor. Obviamente, também deveria ter o mesmo encapsulamento isolado (TO-220F).
O transistor encontrado na sucata, que preencheu os requisitos, foi o 2SK3569. Ele tem Vdss de 600V, maior capacidade de corrente (Id =10A) e menor Rds (0,54 ohm), conforme a Toshiba [10]. Mas há mais alguns detalhes a observar, para podermos aceitá-lo como equivalente.
Por exemplo, a tensão de porta mínima (Gate Threshold Voltage – Vgs(th) ou Vth) para fazê-lo conduzir. O substituto deve ter este limiar de disparo semelhante ao transistor anterior, ou muito próximo disso. O original disparava entre 2 e 4V, o mesmo que o 2SK3569. Mas, no datasheet da versão 0.2 do SW7N60 [9], consta um Vth entre 2 e 5V.
A diferença não é muito grande, pois os dois conseguem ser ativados por níveis lógicos. Pode haver alguma alteração no início da condução, mas os valores, em princípio, estão dentro da tolerância dos transistores e são pequenos o suficiente para o circuito compensar. Mas se colocássemos no lugar um MOSFET que necessitasse tensões mais altas para chavear, o circuito poderia não funcionar.
Outra questão é a capacitância de entrada (Ciss), que no SW7N60 era de 960pF (mínimo) e no substituto é 1500pF. Diferenças neste valor resultam no atraso ou adiantamento do acionamento do MOSFET e podem comprometer a eficiência do circuito. Na versão antiga da ficha técnica do SW7N60, consta 1500pF.
Os tempos de chaveamento indicam até qual frequência o componente pode ser utilizado. São definidos com 4 parâmetros. Os valores à direita de cada item referem-se ao MOSFET original e substituto, respectivamente.
Fonte: https://dicasdozebio.com